在“雙碳”戰(zhàn)略、5G與AIoT蓬勃發(fā)展的疊加影響下,電能轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)成為影響整機(jī)能效與可靠性的關(guān)鍵所在。電源模塊與電源適配器雖同屬AC/DC或DC/DC轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,但因形態(tài)、功率段及交付方式不同,在各行業(yè)展現(xiàn)出截然不同的應(yīng)用態(tài)勢(shì)與挑戰(zhàn)。
電源模塊正朝著更小尺寸發(fā)展,向“1/16磚”乃至“1/32磚”不斷演進(jìn)。借助氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)器件以及多層PCB嵌入式磁件,到2025年,主流通信磚模塊功率密度已突破320 W/in3,較之前提升18%。然而,熱流密度也隨之增至2.8 W/mm2,這對(duì)基板散熱和3D封裝技術(shù)提出了更高要求。同時(shí),數(shù)字電源控制接口(PMBus)的滲透率超過(guò)60%,使得數(shù)據(jù)中心能夠通過(guò)軟件實(shí)時(shí)調(diào)整母線電壓,配合AI調(diào)優(yōu)整機(jī)電能使用效率(PUE)。
電源適配器領(lǐng)域,GaN快充技術(shù)從30 W向10 W段延伸,2025年滲透率達(dá)45%,使得8 W智能音箱的適配器體積縮小至24 cm3。USB-C PD3.1統(tǒng)一接口后,筆記本、電動(dòng)工具、無(wú)人機(jī)等設(shè)備實(shí)現(xiàn)“一線通用”,但協(xié)議芯片成本上漲12%,壓縮了白牌廠商的利潤(rùn)空間。
在通信與數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,48 V母線架構(gòu)重新受到重視,1/4磚模塊峰值效率達(dá)97.8%。不過(guò),AI服務(wù)器的瞬載斜率可達(dá)100 A/μs,對(duì)模塊的動(dòng)態(tài)響應(yīng)以及鉭電容壽命提出了挑戰(zhàn)。邊緣計(jì)算節(jié)點(diǎn)需要在-40 ℃環(huán)境下冷啟動(dòng),厚膜工藝電源的失效率要求低于10 FIT。
工業(yè)與車載領(lǐng)域,機(jī)器人伺服系統(tǒng)需要24 V/48 V雙路輸出,且模塊高度限制在8 mm以內(nèi)。新能源車三合一OBC+DC-DC將模塊工作溫度推高至125 ℃,SiC方案成本仍比IGBT高18%,成為整車廠的關(guān)鍵制約環(huán)節(jié)。
消費(fèi)電子與醫(yī)療領(lǐng)域,適配器追求“零空載”功耗,2027年歐盟將待機(jī)功耗限值降至75 mW,迫使廠商采用Burst-Mode+高壓?jiǎn)?dòng)IC。醫(yī)療設(shè)備需要2×MOPP隔離,爬電距離不小于8 mm,小型化與高隔離要求形成矛盾。
法規(guī)方面,中國(guó)“GB 20943”2025版將外部電源平均效率強(qiáng)制提升4%,模塊電源納入碳足跡核算,企業(yè)需投入百萬(wàn)級(jí)測(cè)試平臺(tái)。美國(guó)DoE Level VI、歐盟CoC Tier 2并行實(shí)施,導(dǎo)致同一型號(hào)產(chǎn)品需準(zhǔn)備多套物料清單(BOM)。
供應(yīng)鏈上,2025年第二季度,GaN HEMT晶圓供貨周期仍長(zhǎng)達(dá)26周,磁性元件MnZn鐵氧體粉料價(jià)格同比上漲22%,中小廠商面臨“有單無(wú)料”的困境。
回收環(huán)節(jié),歐盟2026年強(qiáng)制推行USB-C后,全球每年將新增3.2億只淘汰適配器。模塊電源封裝樹(shù)脂與銅線混合,導(dǎo)致拆解成本超過(guò)1美元/只,綠色拆解與可拆卸磁件設(shè)計(jì)成為新的研究方向。
模塊化與適配器的邊界逐漸模糊。一方面,服務(wù)器出現(xiàn)“板磚融合”趨勢(shì),將90 V - 264 V交流直插1/4磚,省去傳統(tǒng)適配器;另一方面,消費(fèi)級(jí)“氮化鎵適配器模塊”把30 W Mini-MOD封裝成DIP-24,供IoT網(wǎng)關(guān)直接貼片。